S1623 时间：2025/8/16 19:23:16 阅读：11

S1623 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高电压和高电流应用，如开关电源、电机控制、电池管理系统和逆变器等。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的导通和开关性能，适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：160A（在TC=25℃时）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

S1623 MOSFET具有非常低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　其高电流承载能力和良好的热管理设计使其在高温环境下依然保持稳定性能。
　　此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等对效率和响应速度要求较高的应用。
　　它还具备较强的抗雪崩击穿能力，提高了器件在高能量负载下的可靠性和耐用性。
　　封装设计采用TO-247，便于散热和安装，并支持高功率密度设计需求。

应用

S1623常用于各种功率电子系统中，如服务器电源、电信电源、电动工具、电动汽车电池管理系统、逆变器以及工业电机驱动器等。
　　其高可靠性和优异的电气性能也使其成为新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中的理想选择。
　　此外，该MOSFET还广泛应用于需要高效率和高稳定性的消费类电子产品，如高端电源适配器和不间断电源（UPS）等。