S13MD02 时间：2025/8/27 21:12:33 阅读：8

S13MD02 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要面向中高功率应用，如电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及负载开关等。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为2.25mΩ（在VGS=10V时）
　　封装形式：SOP Advance（尺寸紧凑，适合高密度PCB布局）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

S13MD02 的核心优势在于其超低导通电阻和高电流处理能力，这使其在高效率电源系统中表现出色。采用的先进沟槽技术不仅降低了Rds(on)，还优化了开关性能，从而减少了开关损耗。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　其SOP Advance封装设计不仅节省空间，还提高了散热效率，适用于需要紧凑设计和高效能的电子设备。S13MD02还具备良好的抗雪崩能力，能够在突发高电压情况下保持稳定，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同电压条件下稳定工作，并且具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低驱动损耗。这些特性使得S13MD02在电源转换、负载管理及电动工具、电动车等应用中具有广泛的适用性。

应用

S13MD02 常用于高性能电源管理系统，例如笔记本电脑、服务器电源、DC-DC转换器和负载开关控制。其高电流处理能力和低导通电阻也使其成为电动工具、无人机、电动滑板车等便携式设备中马达驱动电路的理想选择。
　　此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）和高功率LED驱动电路，确保高效能和稳定运行。在工业自动化和电机控制模块中，S13MD02同样展现出卓越的性能表现。