时间：2025/9/13 7:33:36
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S133PRC 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。这款器件以其高效率和快速开关特性而闻名，适用于多种电子设备中的功率控制需求。S133PRC 采用常见的 TO-220 封装，便于散热和集成到各种电路设计中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：130 A
最大漏源电压（VDS）：30 V
导通电阻（RDS(on)）：5.8 mΩ（典型值，VGS = 10 V）
栅极电荷（Qg）：70 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
S133PRC 的主要特性包括低导通电阻、高电流处理能力和优异的热稳定性。其低 RDS(on) 特性可以显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件的快速开关能力使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。
该 MOSFET 还具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其高耐压能力和大电流容量使其非常适合用于需要高功率密度的设计。S133PRC 在汽车电子、工业电源和电机控制等应用中表现尤为出色，能够满足苛刻的工作条件要求。
S133PRC 常用于各种高功率电子系统中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统和电源管理模块。它也适用于汽车电子领域，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。此外，该器件还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用，提供可靠的功率控制和高效能表现。
STP120NF30, IRF1404, FDP130N30
