S12MD3 时间：2025/8/28 8:10:47 阅读：16

S12MD3 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装双向瞬态电压抑制二极管（TVS），主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件采用小型SOD-123封装，适用于各种便携式和高密度电子设备中的电路保护。S12MD3具备快速响应时间和高浪涌吸收能力，是工业自动化、通信设备、消费类电子产品中常用的保护元件。

参数

工作电压：12V
　　钳位电压（Vc）：18.8V @ Ipp=10.1A
　　峰值脉冲电流（Ipp）：10.1A
　　反向关态电压（VRWM）：12V
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ VRWM
　　响应时间（tresp）：小于1.0ps
　　封装形式：SOD-123

特性

S12MD3 的核心特性在于其卓越的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内将过电压钳制到安全水平，从而保护后级电路不受损坏。其采用的SOD-123封装体积小巧，适用于空间受限的高密度PCB布局设计。此外，S12MD3具备高可靠性，在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和车载环境。该器件的低电容设计（典型值小于15pF）使其适用于高速信号线路的保护，不会对信号完整性造成显著影响。双向设计则使其能够应对正负双向的瞬态电压冲击，无需考虑极性问题，提高了使用的灵活性和可靠性。

应用

S12MD3 广泛应用于多种需要瞬态电压保护的场合，例如通信设备中的以太网端口保护、工业控制系统的输入输出接口防护、消费类电子产品如智能手机和平板电脑的USB、HDMI等高速接口保护。此外，S12MD3还可用于电源适配器、便携式仪器仪表以及汽车电子系统的信号和电源线路保护，确保设备在复杂电磁环境下的稳定运行。