时间：2025/7/25 9:08:05
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IXTM12N100是一款由IXYS公司生产的高电压、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。这款MOSFET设计用于在极端条件下工作，具有卓越的热稳定性和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1000V
最大漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.38Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V至4.0V
最大栅极电压(Vgs)：±30V
最大耗散功率(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXTM12N100 MOSFET以其高电压能力和低导通电阻而著称，这使得它在高功率应用中非常高效。该器件采用了先进的平面技术，确保了低开关损耗和优异的热性能。此外，IXTM12N100具有高雪崩能量能力，能够在瞬态条件下保护自身不受损害。其坚固的结构设计和高可靠性的封装形式，使其适用于恶劣的工作环境。
此外，该MOSFET的栅极驱动设计简单，允许使用标准的驱动电路进行控制。这种特性不仅简化了电路设计，还降低了整体系统的成本。IXTM12N100还具有快速的开关速度，这使其在高频应用中表现出色，例如在电源转换器和电机驱动器中。
IXTM12N100广泛应用于各种高功率电子设备，包括但不限于工业电源、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、电池充电器和太阳能逆变器。此外，该器件也非常适合用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统，例如在电动汽车充电设备和电力调节系统中。
IXFH12N100, IRF840, FCP12N100
