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IXTM12N100 发布时间 时间:2025/7/25 9:08:05 查看 阅读:11

IXTM12N100是一款由IXYS公司生产的高电压、高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。这款MOSFET设计用于在极端条件下工作,具有卓越的热稳定性和电气性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1000V
  最大漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.38Ω
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V至4.0V
  最大栅极电压(Vgs):±30V
  最大耗散功率(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTM12N100 MOSFET以其高电压能力和低导通电阻而著称,这使得它在高功率应用中非常高效。该器件采用了先进的平面技术,确保了低开关损耗和优异的热性能。此外,IXTM12N100具有高雪崩能量能力,能够在瞬态条件下保护自身不受损害。其坚固的结构设计和高可靠性的封装形式,使其适用于恶劣的工作环境。
  此外,该MOSFET的栅极驱动设计简单,允许使用标准的驱动电路进行控制。这种特性不仅简化了电路设计,还降低了整体系统的成本。IXTM12N100还具有快速的开关速度,这使其在高频应用中表现出色,例如在电源转换器和电机驱动器中。

应用

IXTM12N100广泛应用于各种高功率电子设备,包括但不限于工业电源、电机驱动器、逆变器、UPS(不间断电源)、电池充电器和太阳能逆变器。此外,该器件也非常适合用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统,例如在电动汽车充电设备和电力调节系统中。

替代型号

IXFH12N100, IRF840, FCP12N100

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IXTM12N100参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GigaMOS?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.05 欧姆 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)170 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-204AA(IXTM)
  • 封装/外壳TO-204AA,TO-3