型号：QM50HY-H
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220F
　　漏源电压(VDS)：500V
　　连续漏极电流(ID)：50A
　　脉冲漏极电流(IDM)：200A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：≤0.18Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压(Vth)：2.0V~4.0V
　　输入电容(Ciss)：约2600pF
　　输出电容(Coss)：约470pF
　　反向恢复时间(trr)：约55ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　功耗(PD)：约200W

QM50HY-H的核心特性之一是其优化的导通电阻与击穿电压之间的权衡设计，使其在500V额定电压下仍能保持较低的RDS(on)，典型值低于0.18欧姆，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。这一特性特别适用于大电流、高频开关的应用场景，例如服务器电源、LED驱动电源和光伏逆变器等。
　　其次，该器件采用了先进的平面硅技术制造工艺，确保了载流子迁移率的稳定性以及高温工作条件下的长期可靠性。其内部结构经过优化，有效抑制了寄生双极晶体管的触发效应，从而提升了器件的抗短路和过载能力。同时，QM50HY-H具备较强的dv/dt和di/dt耐受能力，在快速开关过程中不易发生误触发或热失控现象。
　　热性能方面，TO-220F封装提供了较大的散热表面积，并可通过外接散热片进一步提升散热效率，使器件在满负荷运行时仍能维持在安全结温范围内。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），通常在70nC左右，有助于减少驱动电路的功耗并提高开关频率，适用于高频PWM调制系统。
　　安全性方面，QM50HY-H内置了快速体二极管，具备良好的反向恢复特性，减少了关断过程中的反向恢复电荷和尖峰电压，从而降低了电磁干扰（EMI）风险。该体二极管还支持非连续导通模式下的能量回馈，适用于LLC谐振变换器或有源钳位拓扑。
　　最后，该器件在生产过程中执行严格的筛选和测试流程，确保批次一致性高，失效率低，满足工业级应用对稳定性的严苛要求。

QM50HY-H主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于AC-DC适配器、开放式开关电源（Open Frame PSU）、通信电源模块以及工业自动化设备中的DC-DC转换器。由于其500V的耐压能力和高达50A的持续漏极电流承载能力，它非常适合用于离线式反激（Flyback）、正激（Forward）以及半桥（Half-Bridge）拓扑结构中作为主开关管或同步整流管使用。
　　在照明领域，该器件可用于大功率LED恒流驱动电源，特别是在需要高效率和长寿命的户外照明、隧道灯和工矿灯应用中表现出色。其快速开关特性和低导通损耗有助于实现精确的调光控制和稳定的输出电流。
　　在电机控制方面，QM50HY-H可作为直流无刷电机（BLDC）或步进电机的相位驱动开关元件，尤其适用于家用电器如空调压缩机、洗衣机和风扇控制系统中。配合合适的栅极驱动芯片，能够实现高效、低噪声的电机运转。
　　此外，该器件也常见于新能源相关设备中，例如太阳能微型逆变器、储能系统的充放电控制模块以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。在这些应用中，QM50HY-H不仅需要承受复杂的电压应力，还需在宽温度范围内保持稳定的电气性能，而其优异的热稳定性和抗浪涌能力正好满足这些需求。
　　在工业电源和UPS不间断电源系统中，QM50HY-H常被用于PFC（功率因数校正）升压开关或主逆变桥臂，帮助提升系统功率因数并降低谐波污染，符合IEC 61000-3-2等国际能效标准。

SPW45N50C3, FQA50N50, STP55NF50ZFP, IRFP460LC