S11ME6 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统等应用。该器件属于N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。S11ME6采用先进的制造工艺,确保在高频率和高负载条件下仍能保持稳定性能。它适用于多种电子设备,包括工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):110A(在Tc=25℃时)
导通电阻(Rds(on)):最大6.5mΩ(在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):200W
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
封装类型:PowerFLAT 5x6
安装类型:表面贴装
引脚数:8
S11ME6具备多项优异的电气和物理特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。这在高电流应用中尤为重要,可以有效减少发热并提升整体性能。其次,该MOSFET支持高达110A的连续漏极电流,适用于高功率密度的设计。
该器件采用PowerFLAT 5x6封装,具有良好的热管理性能,能够有效地将热量传导到PCB上,避免因过热导致的性能下降或损坏。此外,该封装方式支持表面贴装技术,适用于自动化生产流程,提高了制造效率。
S11ME6的工作温度范围为-55℃至+175℃,具备优异的热稳定性和可靠性,适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。其栅源电压为±20V,提供良好的栅极控制能力,防止因过电压导致的损坏。
该MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。快速开关能力有助于减少开关损耗,提高系统能效。此外,S11ME6内置了静电放电(ESD)保护,增强了器件的耐用性和抗干扰能力。
由于其高集成度和高性能,S11ME6适用于多种电源管理方案,包括电池管理系统、电动工具、电源适配器等。该器件符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品的设计需求。
S11ME6广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. **电源管理**:用于DC-DC转换器、稳压器、负载开关等电源管理系统,提供高效能的功率控制。
2. **电池管理系统**:在电动工具、电动车和储能系统中,用于电池充放电控制和保护电路。
3. **开关电源**:用于AC-DC电源适配器、服务器电源等设备,提升能效并减少热量产生。
4. **工业自动化**:用于电机驱动、继电器替代和工业控制电路,实现高可靠性的功率控制。
5. **消费类电子产品**:用于笔记本电脑、平板电脑、智能电视等设备的电源管理模块。
6. **汽车电子**:用于车载充电器、电池管理系统、车载逆变器等汽车应用,满足汽车电子对高可靠性和高稳定性的要求。
STL110N6F7, SPP110N6F7-18, IPW60R006C7}