容量：256Mbit（16MB）
　　组织结构：x16位宽
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：12ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：TSOP（Thin Small-Outline Package）
　　引脚数量：54-pin
　　数据保持电压：2.0V至3.6V
　　待机电流：最大10mA（典型值）
　　输出驱动能力：LVTTL兼容

HYB18H256321BF-12 SRAM芯片具备出色的性能和稳定性，其主要特性包括高速访问时间（12ns），可满足高性能系统的需求。芯片支持异步操作，无需时钟信号即可进行读写操作，简化了系统设计。此外，该器件采用了低功耗CMOS工艺，在保持高速运行的同时实现节能效果，特别适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。
　　该芯片的16位数据总线宽度允许同时传输多个数据字节，提高了数据吞吐量。其支持的宽电压范围（2.0V至3.6V）使其在不同的系统电源条件下都能可靠运行，增强了设计的灵活性。芯片封装采用TSOP形式，具有良好的散热性能和空间节省能力，适用于紧凑型电子设备。
　　在数据保持方面，即使在较低电压（如2.0V）下，该芯片也能确保数据不丢失，从而在系统掉电或低电量情况下提供数据保护功能。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境下的应用，如工业控制、网络设备、测试仪器和通信基础设施。

HYB18H256321BF-12广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统、工业控制设备、网络交换设备、通信模块、测试与测量仪器以及医疗设备等场景。其高速性和低功耗特性也使其适用于便携式设备和电池供电系统。

CY7C1041CV33-12ZC, IS61LV25616-12B4I, A2B2516NTTC-12