时间：2025/6/28 13:19:44
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MA0201CG7R0B250 是一款基于 MOSFET 技术的功率开关器件，专为高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺制造，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，可显著降低功率损耗并提升系统性能。
该芯片封装形式为 TO-252（DPAK），具备出色的散热性能，同时支持表面贴装工艺，适用于自动化生产环境。
型号：MA0201CG7R0B250
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极耐压）：70V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：110A
Qg（栅极电荷）：48nC
Ciss（输入电容）：3680pF
Ftp（典型工作频率）：1MHz
封装：TO-252（DPAK）
MA0201CG7R0B250 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低传导损耗，提高整体能效。
2. 快速开关性能，适用于高频应用场景，减少开关损耗。
3. 高额定电流能力，适合大功率应用需求。
4. 优化的栅极电荷设计，简化驱动电路设计，降低驱动功耗。
5. 稳定的电气特性和可靠的热性能，确保在严苛环境下长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
MA0201CG7R0B250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关管。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
5. 各类工业控制和汽车电子系统的功率转换模块。
其高性能和可靠性使其成为上述应用的理想选择。
MA0201CG7R0B180
IRFZ44N
FDP15N50
