时间：2025/8/28 6:20:23
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S11MD7T 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 P 沟道功率 MOSFET，广泛用于电源管理、电池供电设备和负载开关应用中。这款 MOSFET 采用小型表面贴装封装（DFN1010MD-6），非常适合空间受限的高密度电路设计。S11MD7T 在导通电阻、开关速度和热性能方面表现出色，适合用于便携式电子设备中的高效电源系统。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-1.5A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大 260mΩ（在 VGS = -4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN1010MD-6
S11MD7T 的核心特性之一是其低导通电阻，在 VGS = -4.5V 时最大为 260mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的额定漏极电流为 -1.5A，适用于中等功率的开关应用。
该 MOSFET 的工作温度范围宽，从 -55°C 到 +150°C，适合在各种环境条件下使用。栅极驱动电压兼容 1.8V 至 8V 的逻辑电平，使其易于与多种控制器接口。
采用 DFN1010MD-6 封装，具有良好的热管理和小型化设计，适合便携式设备和高密度 PCB 布局。此外，S11MD7T 具有低漏电流和快速开关特性，有助于减少静态功耗和动态损耗，提高整体能效。
该器件还具有良好的抗静电能力，符合 JEDEC 标准的 ESD 保护要求，提升了在实际应用中的可靠性和稳定性。ROHM 的制造工艺确保了器件的高一致性和长期稳定性，适用于消费类电子、工业控制、通信设备和电池管理系统等多种应用场景。
S11MD7T 常用于便携式电子设备的电源管理电路中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它也可作为负载开关或 DC-DC 转换器中的开关元件，适用于电池供电系统中的高效能需求。
此外，该 MOSFET 还广泛应用于工业控制设备、传感器模块和小型电机控制电路中。由于其具备良好的热管理能力和小型封装，S11MD7T 也非常适合用于需要紧凑设计和高可靠性要求的嵌入式系统中。
在电池管理系统中，S11MD7T 可用于充放电路径的控制，确保电池在安全范围内工作。同时，该器件的低导通电阻和快速开关特性也有助于提升电池供电设备的整体能效。
Si2301DS、AO4407A、FDC6303、TPC8104-H
