类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：45A（单个元件）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半波）
　　正向压降（VF）：典型值0.57V，最大值0.62V（在TA=25°C，IF=45A条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在VR=60V，TA=25°C）；高温下可达5.0mA（VR=60V，TA=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：典型值1.0°C/W（芯片到外壳）
　　封装形式：D2PAK（TO-263）
　　安装方式：表面贴装

60CNQ045的核心特性之一是其低正向压降，在大电流工作条件下显著降低了导通损耗，从而提高了整体电源转换效率。这得益于其采用的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，消除了少数载流子的储存效应，实现了极快的开关速度和极低的反向恢复时间。这一特性使其特别适用于高频开关电源系统，如DC-DC转换器和同步整流拓扑，能有效减少开关过程中的能量损耗并降低电磁干扰（EMI）。此外，该器件的双共阴极配置允许两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极连接，这种结构常用于中心抽头变压器的全波整流电路或双通道输出的同步整流设计中，简化了PCB布局并减少了寄生电感。
　　另一个重要特性是其优异的热性能和高功率处理能力。60CNQ045采用D2PAK封装，具有较大的散热片设计，可通过PCB上的铜箔或外部散热器高效地将热量传导出去，确保在高负载条件下仍能保持稳定的结温。其热阻RθJC仅为1.0°C/W，意味着每瓦功耗仅使结温升高约1摄氏度，大大增强了器件的长期可靠性和寿命。同时，宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）使其能够在极端高低温环境下稳定运行，适用于工业和汽车级应用场景。
　　此外，60CNQ045具备良好的抗浪涌能力和电气鲁棒性。其峰值浪涌电流可达150A，能够在短时间内承受突发的大电流冲击而不损坏，提升了系统在启动或异常工况下的安全性。器件还具有较低的反向漏电流，在常温下不超过1mA，在高温125°C时也控制在5mA以内，有助于减少待机功耗和热积累。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠且耐用的功率二极管解决方案，满足现代电子系统对小型化、高效率和高可靠性的综合需求。

60CNQ045广泛应用于多种高效率电源管理系统中，尤其是在需要大电流、低损耗整流功能的场合。其典型应用包括开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器、台式计算机和网络设备中的主输出整流部分。在这些系统中，60CNQ045作为次级侧整流元件，能够有效降低导通压降，提高整体转换效率，减少散热需求。此外，它也被广泛用于DC-DC转换器模块，特别是在非隔离型降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中作为续流二极管或输出整流二极管使用，其快速响应特性可显著提升动态负载响应能力。
　　在通信基础设施领域，60CNQ045常用于基站电源、光模块供电单元以及电信整流器中，支持高可用性和长寿命运行要求。其AEC-Q101认证使其适用于汽车电子系统，例如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及其他辅助电源模块，能在高温、振动和电气噪声复杂的环境中保持稳定性能。此外，该器件还可用于逆变器系统中的续流路径，防止感性负载产生的反电动势损坏开关元件，保障系统的安全运行。
　　在工业控制与自动化设备中，60CNQ045被用作电机驱动电路中的续流二极管，吸收电机绕组断电时产生的反向电压尖峰，保护MOSFET或IGBT等功率开关器件。同时，它也可用于UPS（不间断电源）、太阳能微逆变器和LED驱动电源等绿色能源相关产品中，帮助实现更高的能效等级和更低的碳排放。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化贴片生产线，有利于大规模制造和成本控制。

MBR45H60CTG
　　SB6045
　　SS60C60F