S11MD63 是东芝(Toshiba)生产的一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列芯片,广泛用于开关电源、负载开关、马达驱动和电源管理系统中。该器件集成了多个功率MOSFET,具备较高的集成度和可靠性,适用于便携式电子设备、工业控制系统和车载电子设备等应用场景。S11MD63通常采用小型封装形式,便于在高密度PCB设计中使用。
类型:功率MOSFET阵列
通道数:2
最大漏极电流(ID):±4A(每个通道)
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±8V
导通电阻(RDS(on)):0.075Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SSOP16或TSSOP16
S11MD63的主要特性包括高集成度、低导通电阻以及良好的热稳定性。该器件内部集成了两个独立的N沟道MOSFET,支持双向电流控制,适用于多种功率开关和负载管理应用。其低RDS(on)特性可以有效降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,S11MD63具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,增强了系统的可靠性。
该器件还具备过热保护和过流保护功能,防止在异常工况下发生损坏。其控制信号输入兼容标准逻辑电平,便于与MCU或其他控制电路连接。S11MD63采用小型封装,节省PCB空间,适用于对尺寸和功耗要求较高的便携式设备。同时,其高耐压特性使其适用于多种电源管理场景,包括电池供电设备和车载系统。
S11MD63常用于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关控制、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制部分。此外,它还适用于工业自动化设备、智能家电、车载充电系统和便携式电子产品中的功率管理应用。
S11MA63, SSM6K3135, TPC8104