S11MD63 时间：2025/8/27 23:13:39 阅读：26

S11MD63 是东芝（Toshiba）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列芯片，广泛用于开关电源、负载开关、马达驱动和电源管理系统中。该器件集成了多个功率MOSFET，具备较高的集成度和可靠性，适用于便携式电子设备、工业控制系统和车载电子设备等应用场景。S11MD63通常采用小型封装形式，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：功率MOSFET阵列
　　通道数：2
　　最大漏极电流（ID）：±4A（每个通道）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.075Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SSOP16或TSSOP16

特性

S11MD63的主要特性包括高集成度、低导通电阻以及良好的热稳定性。该器件内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，支持双向电流控制，适用于多种功率开关和负载管理应用。其低RDS(on)特性可以有效降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，S11MD63具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。
　　该器件还具备过热保护和过流保护功能，防止在异常工况下发生损坏。其控制信号输入兼容标准逻辑电平，便于与MCU或其他控制电路连接。S11MD63采用小型封装，节省PCB空间，适用于对尺寸和功耗要求较高的便携式设备。同时，其高耐压特性使其适用于多种电源管理场景，包括电池供电设备和车载系统。