时间：2025/12/27 8:53:16
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UF3N25ZG-TN3-R是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的第三代碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET），采用先进的UJ3N裸片技术，专为高效率、高频电力电子应用设计。该器件结合了碳化硅材料的优异物理特性与先进的封装技术，提供卓越的开关性能和导通特性，适用于需要高功率密度和高能效的电源转换系统。其主要优势包括低导通电阻、快速开关速度、高温工作能力以及良好的热稳定性，使其在工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源和PFC（功率因数校正）电路中广泛应用。该型号采用紧凑的DFN8x8封装，具备低寄生电感和优良的散热性能，支持表面贴装工艺，适合自动化生产。此外，该器件内置反并联肖特基体二极管，可有效减少外部元件数量，提高系统可靠性。UF3N25ZG-TN3-R符合RoHS标准，并具有可靠的栅极氧化层设计，确保在复杂工况下的长期稳定运行。
型号：UF3N25ZG-TN3-R
类型：SiC FET
材料：碳化硅（SiC）
漏源电压VDS：650V
连续漏极电流ID：34A（TC=100°C）
脉冲漏极电流IDM：136A
导通电阻RDS(on)：75mΩ（最大值，@ VGS=20V）
栅极阈值电压VGS(th)：3.5V（典型值）
输入电容Ciss：4340pF（@ VDS=50V）
输出电容Coss：290pF（@ VDS=50V）
反向恢复电荷Qrr：0C（典型值，无尾电流）
最大工作结温Tj：175°C
封装形式：DFN8x8（双面散热）
安装方式：表面贴装
栅极驱动电压推荐：+20V/-5V
UF3N25ZG-TN3-R所采用的第三代碳化硅FET技术显著提升了电力电子系统的效率和功率密度。其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能之间的平衡，使得器件在高频工作条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗。相较于传统的硅基MOSFET，该器件在硬开关和软开关拓扑中均表现出更优的动态性能，尤其是在升压转换器、图腾柱PFC和LLC谐振转换器等应用中，能够大幅降低系统的总损耗。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，该器件可在高达175°C的结温下稳定运行，增强了在高温环境下的可靠性。同时，其反向恢复电荷几乎为零，体二极管具备类似肖特基二极管的快速恢复特性，避免了传统MOSFET体二极管反向恢复带来的能量损耗和电磁干扰问题，从而提升系统整体效率并简化EMI设计。该器件的DFN8x8封装采用铜夹连接技术，降低了内部寄生电感和电阻，提高了电流承载能力和热传导效率。双面散热设计进一步优化了热管理，特别适用于高功率密度模块化电源设计。此外，该器件对栅极驱动电路的要求较为明确，推荐使用+20V开通和-5V关断的负压关断策略，以增强抗噪声能力和防止误开通，提升系统在高dV/dt环境下的鲁棒性。其高度集成的特性减少了外围元件需求，有助于缩小PCB面积并提升系统可靠性。综合来看，UF3N25ZG-TN3-R代表了当前碳化硅功率器件在性能、可靠性和集成度方面的先进水平。
UF3N25ZG-TN3-R广泛应用于各类高效能电力电子变换系统中。在通信电源和服务器电源领域，它常用于图腾柱无桥PFC电路，利用其零反向恢复特性实现超高效率（>99%）的功率因数校正，满足80 PLUS钛金等高能效标准。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-DC升压级或DC-AC逆变级，提高系统转换效率并减小散热器体积，适应户用和商用逆变器对小型化和高可靠性的需求。在电动汽车相关设备中，如车载充电机（OBC）和直流快充桩，该器件支持高频软开关拓扑（如LLC、Phase-Shifted Full Bridge），实现高功率密度和快速充电能力。工业电机驱动和UPS不间断电源系统也受益于其优异的动态响应和热稳定性，能够在重载和瞬态条件下保持稳定运行。此外，该器件适用于高密度电源模块、焊接设备、感应加热系统以及高端消费类电源适配器等对效率和体积有严格要求的应用场景。由于其具备出色的EMI性能和热管理能力，工程师可在设计中适当降低滤波元件和冷却系统的规格，从而降低整体系统成本。随着碳化硅技术的普及，UF3N25ZG-TN3-R正逐步替代传统硅基IGBT和超结MOSFET，在下一代绿色能源和智能电网系统中发挥关键作用。
UJ3N75055K-T1-R
UJ3N75065K-T1-R
SCT3045KLGE
