S11MD4T 时间：2025/8/28 9:11:26 阅读：18

S11MD4T是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和电机控制等领域。这款MOSFET采用高性能硅技术制造，具有低导通电阻、高可靠性和出色的热稳定性，适用于高电流开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.4A
　　导通电阻(Rds(on))：56mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSMT4

特性

S11MD4T具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。
　　其N沟道结构设计使得在高频开关应用中表现优异，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器等电源管理电路。
　　该器件支持高达±20V的栅源电压，增强了其在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
　　采用TSMT4封装形式，具备良好的热管理性能，适合在空间受限的PCB布局中使用。
　　此外，S11MD4T在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于要求较高可靠性的工业和汽车应用。

应用

S11MD4T常用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、电池充电器和负载开关电路。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该器件非常适合用于小型马达控制和高效率电源模块。
　　此外，S11MD4T还可用于汽车电子系统中的电源管理，如车灯控制、电动座椅调节等应用。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于PLC电源管理、传感器供电控制以及电机驱动电路。
　　由于其良好的热稳定性，S11MD4T也适用于需要长时间运行的嵌入式系统和便携式设备。