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S10A50R 发布时间 时间:2025/12/27 7:51:28 查看 阅读:21

S10A50R是一款高性能、高可靠性的硅基肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及各类高频整流电路中。该器件采用先进的平面技术制造,具备低正向导通压降和快速反向恢复特性,能够在高温和高电压环境下稳定工作。S10A50R的封装形式通常为TO-220或类似的大功率封装,具备良好的散热性能,适用于大电流应用场景。
  S10A50R中的型号命名通常表示其额定电流为10A,最大重复峰值反向电压为50V,适合在低压大电流输出的电源系统中作为整流或续流二极管使用。该器件符合RoHS环保要求,适用于现代绿色电子设备的设计需求。由于其优异的热稳定性和电气性能,S10A50R被广泛用于通信电源、工业控制电源、太阳能逆变系统以及汽车电子等领域。

参数

类型:肖特基二极管
  配置:单只
  最大重复峰值反向电压(VRRM):50V
  最大直流阻断电压(VR):50V
  最大有效值电压(VRMS):35V
  最大平均整流电流(IO):10A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):200A
  最大正向电压降(VF):0.58V @ 10A, 125°C
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 50V, 25°C;5.0mA @ 50V, 125°C
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  热阻(RθJC):1.5°C/W
  封装类型:TO-220

特性

S10A50R的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种结构利用金属与N型半导体之间的势垒形成整流效应,相较于传统的PN结二极管,具有更低的正向导通压降和几乎可以忽略的反向恢复时间。这一特性使其在高频开关应用中表现出色,能够显著降低开关损耗,提高整体电源转换效率。在10A的工作电流下,其典型正向压降仅为0.58V左右,远低于普通快恢复二极管的1.2V以上,从而减少了导通期间的功率损耗和热量产生。
  该器件具备出色的热稳定性,其最大工作结温可达+175°C,允许在高温环境中长时间运行而不会发生性能劣化或热击穿。同时,较低的热阻(1.5°C/W)确保了从PN结到外壳的高效热传导,配合合适的散热片可进一步提升其持续负载能力。此外,S10A50R对瞬态过电流具有较强的耐受能力,其峰值浪涌电流可达200A,能够在启动或异常工况下提供可靠的保护。
  在可靠性方面,S10A50R通过了严格的工业级认证测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等,确保在恶劣环境下的长期稳定性。其TO-220封装不仅机械强度高,而且引脚兼容性强,便于自动化贴装和手工焊接。器件内部采用银浆烧结工艺连接芯片与铜底板,提升了导热和导电性能,并增强了抗热疲劳能力。
  值得注意的是,尽管肖特基二极管存在相对较高的反向漏电流,尤其是在高温条件下,但S10A50R通过优化掺杂浓度和界面处理工艺,将漏电流控制在合理范围内(125°C时不超过5mA),在大多数应用中不会造成显著影响。此外,该器件对静电敏感度较低,无需特殊防静电措施即可安全操作。总体而言,S10A50R是一款集高效、可靠、耐用于一体的功率肖特基二极管,特别适用于追求高能效和紧凑设计的现代电力电子系统。

应用

S10A50R主要用于各类需要高效低压整流的电力电子设备中。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,特别是在输出电压为3.3V、5V或12V的低压大电流电源中,其低正向压降特性可显著提升转换效率。在DC-DC转换器中,该器件常被用作同步整流的替代方案或作为续流二极管,以减少能量损耗并提高系统功率密度。
  在太阳能光伏逆变器中,S10A50R可用于旁路二极管或防反接保护电路,防止电池板在阴影或故障状态下产生反向电流导致过热损坏。其高浪涌电流能力和宽温度工作范围使其适应户外复杂环境。
  在工业控制系统中,该器件可用于电机驱动电路中的续流保护,吸收感性负载断开时产生的反电动势,保护主控开关元件如MOSFET或IGBT。此外,在不间断电源(UPS)、服务器电源、LED驱动电源以及汽车电子系统(如车载充电机和DC-DC模块)中也有广泛应用。
  由于其TO-220封装具备良好的绝缘性和安装便利性,S10A50R也适用于需要电气隔离的场合,例如在PCB上通过绝缘垫片安装于散热器上,实现高效的热管理。总之,凡是需要在50V以下电压等级进行大电流整流或续流保护的应用场景,S10A50R都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

[
   "SB1050CT",
   "MBR1050",
   "STPS1050CT",
   "B540C-13-F",
   "SS1050"
  ]

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