时间：2025/9/6 2:17:22
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S08M02-200A 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET器件，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及各种功率管理电路中。S08M02-200A 采用ST的先进功率MOSFET技术，提供优异的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.22Ω（在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
晶体管配置：单管
S08M02-200A 功率MOSFET具有多项关键特性，适用于高性能电源系统。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持高达200V的漏源电压，使其适用于中高压电源转换应用。栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（10V），便于与PWM控制器或驱动IC配合使用。
此外，S08M02-200A 采用TO-220封装，具备良好的热传导性能，有助于在高功率应用中保持稳定工作温度。其快速开关能力减少了开关损耗，适用于高频操作环境，如同步整流、DC-DC变换器和开关电源（SMPS）等。
S08M02-200A 主要应用于各类电源管理系统和功率电子设备。常见的应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、工业自动化设备、LED驱动电源以及家用电器中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻特性使其在太阳能逆变器和电动汽车充电模块中也有良好的表现。
STP8NK20Z, FDPF8N20, IRF840, IPD80N20N
