NCV8408BDTRKG 是一款基于 N 沟道逻辑电平 MOSFET 的汽车级功率开关,采用 SOIC-8 封装形式。该器件专为需要低导通电阻和高可靠性的汽车应用而设计,适用于负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。其具有极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下提供高效的性能。
由于其通过 AEC-Q101 认证,NCV8408BDTRKG 能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行,如高温、振动以及其他常见于汽车电子环境中的挑战性条件。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
持续漏极电流:27A
导通电阻:5.6mΩ
栅极电荷:10nC
工作温度范围:-40℃ 至 +175℃
封装形式:SOIC-8
NCV8408BDTRKG 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率。
2. 高额定电流能力(27A),使其能够适应多种大电流应用场景。
3. 符合 AEC-Q101 标准,确保在严苛的汽车环境中长期稳定运行。
4. 提供短路保护功能,增强系统安全性。
5. 采用 SOIC-8 封装,具备紧凑型设计,易于集成到现有的 PCB 布局中。
6. 宽工作温度范围 (-40°C 到 +175°C),适合各种极端气候条件下的操作。
NCV8408BDTRKG 广泛应用于汽车电子领域,主要涉及以下方面:
1. 汽车电动座椅、车窗升降器、雨刷器等直流电机驱动控制。
2. 负载开关,用于控制汽车内部照明灯、仪表盘背光等。
3. 电源管理单元中的 DC-DC 转换器开关元件。
4. 电动车充电接口中的功率控制模块。
5. 空调压缩机或其他高功率负载的启停控制。
NCV8407BDTMR, NCV8409BDTMR