S082540002是一种高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,确保了其在高电流和高电压条件下的稳定性和可靠性。
型号:S082540002
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
总功耗(Ptot):70W
结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
S082540002具有低导通电阻,从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
其快速开关速度使得该器件适用于高频应用环境。
此外,它还具备出色的热稳定性和抗雪崩能力,能够在极端条件下保持正常工作。
封装形式通常为TO-220或DPAK,方便散热设计及表面贴装。
S082540002主要应用于DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关以及各类工业自动化设备中。
由于其高电流承载能力和低导通电阻特点,非常适合用作高效能功率级开关。
同时,在电池管理系统(BMS)领域也表现出色,能够有效管理充放电过程中的电流流动。
IRFZ44N
FDP15U20AB
STP16NF06L