S-LTL307JGT 时间：2025/9/5 15:45:37 阅读：13

S-LTL307JGT 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽结构技术，具有低导通电阻、高功率效率和快速开关特性。该器件广泛用于电源转换器、马达驱动、负载开关等应用中，适用于中低功率级别的开关控制。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：70A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

S-LTL307JGT MOSFET 采用了罗姆先进的沟槽结构技术，使得其导通电阻显著降低，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和良好的热耗散性能，能够在高电流负载下保持稳定运行。
　　其快速开关特性使得该器件适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。S-LTL307JGT 的封装形式为 TO-252（也称 DPAK），该封装具有良好的热管理和机械稳定性，便于在 PCB 上安装和散热。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，适用于多种驱动电路设计，包括由微控制器或专用驱动 IC 控制的应用。此外，S-LTL307JGT 具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在复杂电磁环境中使用。

应用

S-LTL307JGT 广泛应用于各类功率电子设备中，如电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和汽车电子系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源开关场合。例如，在电动车或无人机的电源系统中，S-LTL307JGT 可以作为主功率开关使用，提供快速响应和高效的能量传输。此外，在工业控制设备中，该 MOSFET 可用于驱动继电器、电磁阀和高功率 LED 阵列。