时间：2025/8/13 4:54:19
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S-LMUN2233LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该晶体管设计用于高频率放大和开关应用，具有优异的线性性能和高可靠性，适用于射频（RF）和模拟电路设计。S-LMUN2233LT1G 采用小型 SOT-23 封装，便于在高密度电路板中使用。这款晶体管广泛应用于通信设备、射频功率放大器、工业控制系统以及消费类电子产品中。
晶体管类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：50 V
最大发射极-基极电压：5 V
最大基极电流：5 mA
最大功耗：300 mW
最大工作温度：150°C
增益带宽积：250 MHz
电流增益（hFE）：110（最小值）@ Ic=2 mA
封装类型：SOT-23
S-LMUN2233LT1G 晶体管具有多项优异的电气特性和封装优势，使其在射频和模拟电路中表现出色。
首先，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，能够在中等功率应用中稳定运行。最大集电极-发射极电压为 50 V，确保在高压环境下仍能正常工作，提高了器件的可靠性。
其次，S-LMUN2233LT1G 具有较高的增益带宽积（GBP）为 250 MHz，适合用于高频放大器和射频电路。其电流增益（hFE）在 2 mA 集电极电流条件下最低为 110，提供了良好的线性放大能力，适合模拟信号处理应用。
S-LMUN2233LT1G 广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适合高频放大、射频信号处理和模拟电路设计。
在通信领域，该晶体管常用于射频功率放大器、低噪声放大器和混频器电路中，提供稳定的高频信号放大能力。
在工业控制系统中，S-LMUN2233LT1G 可用于传感器信号放大、开关控制和接口电路设计，确保信号的高保真传输。
此外，该晶体管也广泛用于消费类电子产品，如音频放大器、无线遥控器和便携式电子设备中的模拟电路部分，提供高可靠性和紧凑的设计方案。
由于其优异的电气特性和小型封装，S-LMUN2233LT1G 还适用于测试设备、数据采集系统和自动化控制模块中的信号处理和放大电路。
BCX70G, 2N3904, MMBT3904
