S-LMUN2233LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的晶体管。该晶体管设计用于高频率放大和开关应用,具有优异的线性性能和高可靠性,适用于射频(RF)和模拟电路设计。S-LMUN2233LT1G 采用小型 SOT-23 封装,便于在高密度电路板中使用。这款晶体管广泛应用于通信设备、射频功率放大器、工业控制系统以及消费类电子产品中。
晶体管类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:50 V
最大发射极-基极电压:5 V
最大基极电流:5 mA
最大功耗:300 mW
最大工作温度:150°C
增益带宽积:250 MHz
电流增益(hFE):110(最小值)@ Ic=2 mA
封装类型:SOT-23
S-LMUN2233LT1G 晶体管具有多项优异的电气特性和封装优势,使其在射频和模拟电路中表现出色。
首先,该晶体管的最大集电极电流为 100 mA,能够在中等功率应用中稳定运行。最大集电极-发射极电压为 50 V,确保在高压环境下仍能正常工作,提高了器件的可靠性。
其次,S-LMUN2233LT1G 具有较高的增益带宽积(GBP)为 250 MHz,适合用于高频放大器和射频电路。其电流增益(hFE)在 2 mA 集电极电流条件下最低为 110,提供了良好的线性放大能力,适合模拟信号处理应用。
最后,S-LMUN2233LT1G 的工作温度范围宽,最大可达 150°C,适用于工业级和高可靠性应用场景。
S-LMUN2233LT1G 广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其适合高频放大、射频信号处理和模拟电路设计。
在通信领域,该晶体管常用于射频功率放大器、低噪声放大器和混频器电路中,提供稳定的高频信号放大能力。
在工业控制系统中,S-LMUN2233LT1G 可用于传感器信号放大、开关控制和接口电路设计,确保信号的高保真传输。
此外,该晶体管也广泛用于消费类电子产品,如音频放大器、无线遥控器和便携式电子设备中的模拟电路部分,提供高可靠性和紧凑的设计方案。
由于其优异的电气特性和小型封装,S-LMUN2233LT1G 还适用于测试设备、数据采集系统和自动化控制模块中的信号处理和放大电路。
BCX70G, 2N3904, MMBT3904