STW12NK80Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高电压、高频率应用。该器件具有优异的导通和开关性能,广泛用于电源转换、电机控制和照明系统等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):800V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):12A
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-247
STW12NK80Z具备低导通电阻(Rds(on))特性,可在高电压条件下提供高效的功率转换,降低能量损耗。其优化的封装设计增强了热管理能力,确保在高负载工作下的稳定性。此外,该器件具有快速开关特性,适用于高频开关应用,减少开关损耗,提高整体系统效率。STW12NK80Z还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,适合在苛刻环境中使用。
在设计方面,该MOSFET采用先进的制造工艺,确保器件在高电压和大电流条件下仍能保持稳定性能。其栅极结构优化,降低了驱动损耗,同时提升了器件的抗干扰能力,使其在复杂电磁环境中依然可靠运行。STW12NK80Z还具有较高的短路耐受能力,能够在突发负载条件下提供更好的保护机制。
STW12NK80Z常用于各类功率电子设备,如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、照明镇流器以及工业自动化控制系统。此外,该器件也适用于消费类电子产品、家用电器和新能源系统中的功率管理模块,例如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。
STW15NK80Z, STW20NK80Z