类型：小信号二极管
　　封装类型：SOD-123
　　最大正向电流（IF）：200 mA
　　最大反向电压（VR）：100 V
　　正向电压降（VF）：1.0 V（最大值，@ IF=10mA）
　　反向漏电流（IR）：100 nA（最大值，@ VR=100V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　结电容（Cj）：4 pF（典型值，@ VR=0V）
　　反向恢复时间（trr）：4 ns（典型值）

S-LMBD914LT1G二极管具有多个显著特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其快速反向恢复时间（trr）为4 ns，适合高频开关应用，能够有效减少开关损耗并提高系统效率。其次，该二极管的最大正向电流为200 mA，最大反向电压为100 V，使其能够在中等功率条件下稳定运行。此外，S-LMBD914LT1G的正向电压降仅为1.0 V（最大值），在高电流条件下有助于降低功耗并提高能效。
　　其SOD-123封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热性能，确保在高密度PCB设计中的可靠性。该器件的低漏电流（最大100 nA）在高阻断电压条件下有助于保持系统的稳定性和效率。此外，S-LMBD914LT1G的工作和存储温度范围为-55°C至+150°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车应用。
　　这款二极管的结电容为4 pF（典型值），使其在高频电路中表现出色，适合用于射频（RF）和高速开关电路。其紧凑的设计和高可靠性也使其成为替代传统插件式二极管的理想选择。

S-LMBD914LT1G 二极管广泛应用于多个电子领域。在工业自动化中，它常用于电源管理、信号整流和保护电路，确保设备在高频率和中等功率条件下的稳定运行。在消费电子领域，该器件被广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和信号处理电路。此外，由于其在-55°C至+150°C的温度范围内保持稳定性能，S-LMBD914LT1G也被广泛用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、传感器模块和电动车辆的电源管理系统。
　　该二极管还适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及射频（RF）电路设计。其快速恢复时间和低漏电流特性使其成为保护电路、钳位电路和信号整流电路的理想选择。此外，S-LMBD914LT1G还可用于数据通信设备、LED照明系统以及电池供电设备中的电源管理电路。

1N4148WS, BAS16, 1N4448