QMV418ET5 时间：2025/8/12 18:27:14 阅读：31

QMV418ET5是一款由东芝（Toshiba）公司推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于高频率开关和功率控制应用。该器件采用先进的硅工艺制造，具有良好的导通性能和较低的开关损耗，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等多种电子系统。QMV418ET5具有较高的集成度和稳定性，能够满足工业自动化、消费电子和汽车电子等领域的高性能需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：1.8A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：约80mΩ（在VGS=4.5V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23
　　功率耗散（PD）：200mW

特性

QMV418ET5作为一款小型MOSFET器件，具有多项优异的电气性能和可靠性。其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。由于其小型SOT-23封装，该器件适合用于空间受限的设计，例如便携式设备和高密度电路板布局。此外，QMV418ET5具有快速开关能力，适用于高频操作环境，能够有效减少开关过程中的能量损耗。器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至8V之间正常工作，使其兼容多种控制电路设计。QMV418ET5还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在严苛的环境下稳定运行，适用于工业和汽车电子应用。

应用

QMV418ET5广泛应用于各种中低功率电子系统中，特别是在需要高效能、小体积MOSFET的场合。常见的应用包括电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流器、LED驱动电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动控制电路以及各类便携式电子产品中的功率控制模块。此外，在工业自动化设备中，QMV418ET5可用于控制继电器、传感器和执行器的电源切换。在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器、照明控制系统和车载信息娱乐系统的电源管理部分。