S-LM3Z3V6T1G 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压应用。该器件的额定齐纳电压为3.6V,适用于低电压稳压电路,具有小封装、高稳定性和低功耗的特点。该器件采用SOD-523封装,适用于便携式设备、电源管理模块以及消费类电子产品的设计。
类型:齐纳二极管
封装形式:SOD-523
齐纳电压Vz:3.6V
容差:±1%(标准)
功率耗散:200mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
正向压降Vf:典型值1.2V @ 10mA
反向漏电流IR:最大0.1μA @ Vz=0V
工作电压范围:2.4V ~ 4.5V
最大齐纳电流:50mA
S-LM3Z3V6T1G 是一款高性能齐纳二极管,具有良好的电压稳定性和快速响应能力。其±1%的齐纳电压容差确保了在精密稳压应用中的可靠性。该器件的最大齐纳电流可达50mA,适用于多种电压调节场景,包括低功耗电路和中等功率应用。SOD-523封装形式使其在空间受限的设计中非常适用,例如智能手机、可穿戴设备和便携式电源管理模块。此外,该器件的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适用于工业级和消费级应用。其正向压降较低(典型值1.2V @ 10mA),有助于减少电路中的能量损耗。S-LM3Z3V6T1G 的低反向漏电流(最大0.1μA)也使其适用于高阻抗电路和低功耗设计,有助于提高系统的整体能效。
这款齐纳二极管的制造工艺确保了其长期稳定性和可靠性,适用于多种应用场景。其200mW的功率耗散能力使其能够在不使用额外散热器的情况下工作,简化了PCB布局。此外,S-LM3Z3V6T1G 通过AEC-Q101汽车电子认证,适用于车载电子系统,如车载充电器、仪表盘电源管理和车载娱乐系统。由于其高稳定性和紧凑的封装,该器件在现代电子设计中广泛用于参考电压源、电压钳位保护和低电压稳压电路。
S-LM3Z3V6T1G 主要应用于需要低电压稳压和参考电压源的电子系统。常见应用包括便携式设备的电源管理、电池供电系统的电压调节、微控制器单元(MCU)的参考电压源、模拟电路的电压钳位保护、低功耗传感器接口、车载电子系统的电源稳压、LED驱动电路、消费类电子产品中的电压调节模块以及各种工业控制和自动化系统中的稳压电路。
LM3Z3V6B, BZT52C3V6, MM3Z3V6T1G, MMSZ5237B