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S-LGSOT08CS-LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 3:02:35 查看 阅读:16

S-LGSOT08CS-LT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害而设计。该器件采用SOT-23封装,适用于低功耗、高精度的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和消费类电子产品。S-LGSOT08CS-LT1G 提供单向保护,具有低击穿电压、快速响应时间和高可靠性等特点。

参数

类型:瞬态电压抑制器(TVS)
  封装形式:SOT-23
  极性:单向
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  功率耗散:300mW
  最大反向工作电压(Vrwm):8V
  击穿电压(Vbr):8.89V(最小)至9.88V(最大)
  最大钳位电压(Vc):15.4V
  最大峰值脉冲电流(Ipp):10.4A
  响应时间:1ps(典型)

特性

S-LGSOT08CS-LT1G 是一款高性能的TVS二极管,具备出色的静电放电和瞬态电压抑制能力。其低击穿电压确保在低电压电路中提供有效的保护,而快速响应时间则能迅速将电压钳制在安全范围内,避免对下游电路造成损害。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的便携式设备中使用。此外,S-LGSOT08CS-LT1G 具有良好的稳定性和耐用性,能够在恶劣的环境条件下长时间工作。其300mW的功率耗散能力使其适用于中等功率保护应用。S-LGSOT08CS-LT1G 还符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。

应用

S-LGSOT08CS-LT1G 常用于便携式消费电子产品、计算机外设、通信设备、工业控制系统和汽车电子模块的电路保护。具体应用场景包括USB接口、HDMI接口、音频/视频输入输出端口、传感器接口和数据通信线路等。在这些应用中,该TVS二极管可有效吸收由静电放电、雷击浪涌或电感负载切换引起的瞬态过电压,防止电路损坏。

替代型号

PESD5V0S1BA, SMBJ5.0A, TVS1201, ESD5Z5.0V

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