时间：2025/8/13 3:02:35
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S-LGSOT08CS-LT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌和瞬态电压的损害而设计。该器件采用SOT-23封装，适用于低功耗、高精度的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和消费类电子产品。S-LGSOT08CS-LT1G 提供单向保护，具有低击穿电压、快速响应时间和高可靠性等特点。
类型：瞬态电压抑制器（TVS）
封装形式：SOT-23
极性：单向
工作温度范围：-55°C至+150°C
功率耗散：300mW
最大反向工作电压（Vrwm）：8V
击穿电压（Vbr）：8.89V（最小）至9.88V（最大）
最大钳位电压（Vc）：15.4V
最大峰值脉冲电流（Ipp）：10.4A
响应时间：1ps（典型）
S-LGSOT08CS-LT1G 是一款高性能的TVS二极管，具备出色的静电放电和瞬态电压抑制能力。其低击穿电压确保在低电压电路中提供有效的保护，而快速响应时间则能迅速将电压钳制在安全范围内，避免对下游电路造成损害。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的便携式设备中使用。此外，S-LGSOT08CS-LT1G 具有良好的稳定性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下长时间工作。其300mW的功率耗散能力使其适用于中等功率保护应用。S-LGSOT08CS-LT1G 还符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
S-LGSOT08CS-LT1G 常用于便携式消费电子产品、计算机外设、通信设备、工业控制系统和汽车电子模块的电路保护。具体应用场景包括USB接口、HDMI接口、音频/视频输入输出端口、传感器接口和数据通信线路等。在这些应用中，该TVS二极管可有效吸收由静电放电、雷击浪涌或电感负载切换引起的瞬态过电压，防止电路损坏。
PESD5V0S1BA, SMBJ5.0A, TVS1201, ESD5Z5.0V
