FN15N1R0C500PNG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的增强型功率晶体管,采用常关型设计。该器件具有高电子迁移率和低导通电阻的特点,适用于高频开关应用,能够显著提升系统效率并减小体积。其封装形式为PQFN,适合表面贴装工艺。
FN15N1R0C500PNG 主要针对需要高效能、高频率工作的电源转换电路,例如 DC-DC 转换器、无线充电模块以及快充适配器等场景。
最大漏源电压:15V
连续漏极电流:1A
导通电阻:0.5Ω
栅极电荷:3nC
开关频率:高达5MHz
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:PQFN
FN15N1R0C500PNG 的核心优势在于其采用了先进的氮化镓技术,具备以下特点:
1. 高开关速度:由于氮化镓材料的优异性能,该器件可以实现更高的工作频率,从而减少磁性元件和电容的尺寸。
2. 低导通电阻:仅为0.5Ω,有助于降低导通损耗,提高整体效率。
3. 小型化封装:PQFN 封装使其非常适合空间受限的应用场景。
4. 高可靠性:支持宽温度范围操作,并经过严格的质量测试以确保长期稳定性。
5. 简化的驱动需求:较低的栅极电荷使得驱动电路更加简单且功耗更低。
FN15N1R0C500PNG 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器:用于笔记本电脑、平板设备及便携式电子产品的电源管理系统。
2. 快速充电解决方案:支持 USB-PD 协议的移动设备充电器。
3. 无线充电发射端:为无线充电器提供高效的功率传输。
4. LED 驱动电路:在高频率下实现精确的亮度调节。
5. 消费类电子设备中的小型化电源模块。
FNE15N1R0C500PNG, GN1505A