类型：双向ESD保护二极管阵列
　　工作电压：12V
　　反向关态电压（VRWM）：12V
　　钳位电压（VC）：23V（最大值，Ipp=1A）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A
　　结电容（Cj）：最大0.8pF（典型值0.5pF）
　　封装形式：TDFN-10
　　安装类型：表面贴装

S-LESD8D12T5G具备多项优异的电气和物理特性，确保其在各种高速电路中稳定运行。首先，其双向保护结构可以有效防止正负极性瞬态电压对下游电路的损害，适用于交流或双向信号线路的保护。其次，该器件具有非常低的结电容（最大0.8pF），确保在高速数据传输过程中不会引起信号失真或衰减，适用于USB 3.0、HDMI 1.4、10/100以太网等高速接口。此外，S-LESD8D12T5G的钳位电压较低，在瞬态事件中能够迅速将电压限制在安全范围内，从而保护后端集成电路免受损坏。
　　该器件的峰值脉冲电流能力为1A（符合IEC 61000-4-2 Level 4标准），并能承受多次ESD冲击而不影响性能。其封装采用TDFN-10小型封装，占用PCB空间小，适合高密度设计。此外，S-LESD8D12T5G的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用。由于其低漏电流特性，在正常工作状态下对系统功耗的影响极低。

S-LESD8D12T5G广泛应用于需要高速信号保护的电子设备中。其典型应用包括USB 2.0/3.0接口、HDMI接口、以太网端口、DisplayPort、DVI接口、智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等消费类电子产品。在工业和汽车电子领域，该器件也常用于CAN总线、LIN总线、传感器接口和车载娱乐系统中的高速数据线路保护。此外，S-LESD8D12T5G也可用于保护通信设备中的光模块、路由器、交换机等关键接口电路，以提升系统的可靠性和抗干扰能力。

PESD8V12VL1BA, TPD3E081, ESD8084