类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装类型：SOD-323
　　齐纳电压：5.6V（标称值）
　　最大齐纳电流：100mA
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　极性：双向
　　最大反向漏电流：100nA（最大值，VR=1V）

S-LBZX84C5V6LT1G 是一款高性能齐纳二极管，具备良好的电压稳定性和低漏电流特性。该器件在设计上采用了ON Semiconductor先进的制造工艺，确保了在不同温度条件下的电压稳定性。其SOD-323封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产，适用于高密度电路板设计。齐纳电压为5.6V，这一电压值在稳压二极管中属于较为常用的典型值，能够满足大多数低电压稳压需求，同时具有较好的动态响应能力。该器件的最大齐纳电流为100mA，使其适用于低功率电源和信号调节电路。此外，S-LBZX84C5V6LT1G的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适应各种恶劣环境下的稳定运行。其低反向漏电流特性（最大100nA）有助于降低电路待机功耗，提高系统能效。该器件的封装符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对环保材料的要求。

S-LBZX84C5V6LT1G 主要用于电压参考、稳压、过压保护和信号调节等电路中。常见应用包括便携式电子设备、消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子模块、通信设备以及各种低功率稳压电路。由于其优异的温度稳定性和低漏电流特性，该器件也常用于精密模拟电路中的电压基准源。此外，在电池供电系统中，S-LBZX84C5V6LT1G 可作为保护元件，防止因过电压而损坏敏感的电子组件。

BZX84C5V6LT1G, ZMM5V6, 1N4734A