类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-323
　　齐纳电压：30V
　　最大耗散功率：300mW
　　最大反向电流：100nA（@ 10V）
　　最大工作温度：150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　最大齐纳电流：10mA
　　齐纳电压容差：±5%

S-LBZX84C30LT1G 是一款高性能的齐纳二极管，具备出色的电压稳定性和低漏电流特性。其采用先进的硅半导体技术制造，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压，适用于对电压精度要求较高的电路设计。该器件的SOD-323封装不仅节省空间，而且便于自动化贴装，适用于现代SMT（表面贴装技术）工艺。
　　此外，S-LBZX84C30LT1G 具备良好的热稳定性和可靠性，适合在恶劣环境条件下工作。其低反向漏电流特性（典型值为100nA）有助于减少电路在待机状态下的功耗，提高系统能效。该器件的额定功耗为300mW，能够在有限的散热条件下正常工作，适用于电池供电设备和低功耗系统。
　　由于其齐纳电压容差为±5%，S-LBZX84C30LT1G 可以满足大多数电压参考和稳压应用的需求，同时具备较高的性价比。该器件广泛应用于电源管理、电压监测、信号调节、过压保护等电路中。

S-LBZX84C30LT1G 主要用于以下类型的电子电路和系统：
　　1. 电压参考源：用于精密电压比较器、ADC/DAC参考电压源等。
　　2. 稳压电路：作为低功耗稳压器或辅助稳压元件使用。
　　3. 过压保护电路：用于防止电压异常升高对后续电路造成损坏。
　　4. 电源管理电路：用于电源监控、电池充电保护等应用场景。
　　5. 模拟信号处理：在信号调节电路中提供稳定的偏置电压。
　　6. 工业控制系统：用于传感器信号调理、控制电压稳定等场合。
　　7. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理模块。

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