S-LBZX84C2V7LT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双电压双向瞬态电压抑制二极管(TVS),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌和其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件内部集成了两个 TVS 二极管,可为两个独立的数据线或信号线提供保护。S-LBZX84C2V7LT1G 采用小型 SOT-23(TO-236)封装,适用于空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
类型:双向TVS二极管
工作电压:2.7V
反向击穿电压:最小3.0V,典型3.2V,最大3.4V
峰值脉冲电流(8/20μs):16A
钳位电压:最大5.5V(在16A时)
功率耗散:300W
封装形式:SOT-23(TO-236)
引脚数:3
工作温度范围:-55°C至150°C
S-LBZX84C2V7LT1G 具备多项优异的电气和物理特性,适用于高要求的电路保护应用。
首先,其双向设计使其适用于交流信号线路或极性不确定的直流线路的保护,特别适合用于 USB、HDMI 和其他高速数据接口的保护方案中。由于其低工作电压(2.7V),该器件可以在低压电路中有效防止过电压事件,而不会对正常工作电压产生干扰。
其次,该器件具有快速响应时间和低钳位电压,能在纳秒级时间内响应瞬态电压事件,将电压钳制在安全范围内,从而有效保护后端电路。其最大钳位电压为5.5V,在16A的浪涌电流下依然能保持较低的钳位电平,确保受保护器件不会因过电压而损坏。
此外,S-LBZX84C2V7LT1G 采用无铅、绿色封装工艺,符合 RoHS 和 REACH 环保标准。SOT-23 封装结构紧凑,便于在高密度 PCB 设计中使用,并具有良好的热稳定性和机械强度。该器件的功率耗散能力为300W,能够在恶劣环境下提供可靠的保护性能。
最后,该 TVS 二极管具有较低的漏电流(通常低于1μA),在正常工作状态下对电路影响极小,适用于低功耗系统设计。
S-LBZX84C2V7LT1G 主要用于各种电子设备中的电路保护,特别是在需要防止静电放电(ESD)和瞬态电压干扰的场合。其典型应用包括便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的 USB、HDMI 和 DisplayPort 接口保护。此外,它还可用于保护工业控制系统、通信模块、传感器接口和汽车电子中的低电压信号线路。
在数据通信设备中,S-LBZX84C2V7LT1G 可有效防止因雷击感应、静电放电或电源切换引起的瞬态电压冲击,从而提高系统的可靠性和稳定性。在汽车电子系统中,该器件可用于保护 CAN 总线、LIN 总线和车载娱乐系统接口,确保车辆电子设备在复杂电磁环境中稳定运行。
由于其小型封装和优异的电气性能,S-LBZX84C2V7LT1G 也广泛应用于物联网(IoT)设备、智能家居控制器、可穿戴设备和无线充电模块中,为高速数据传输线路提供高效、可靠的保护方案。
LBZX84C2V7LT1G, PESD2V7S1BA, ESDA2V7S1BA, SMAJ2V7CA