时间：2025/7/12 1:41:50
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HMK316B7473KLHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功耗并提升系统效率。
此型号属于N沟道增强型MOSFET，其设计注重在高温环境下的稳定性和可靠性，适合工业级及汽车级应用需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，降低了发热问题。
2. 高速开关性能使其非常适合高频应用，例如开关电源和逆变器。
3. 具备出色的热稳定性和耐受能力，适应极端工作条件。
4. 内置ESD保护功能提高了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 封装设计优化散热性能，支持大电流运行。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC转换器的核心功率器件。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统控制。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关应用。
HMK316B7475KLHT, HMK316B7470KLHT, IRF7473
