类型：NPN型晶体管
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　最大工作频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：在2 mA时为110至800（根据等级不同）
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：3 V
　　最大工作温度范围：-55°C 至 +150°C

S-LBSS138WT1G晶体管具有优异的高频性能和低噪声系数，适用于需要高增益和低失真的应用环境。其主要特性包括：
　　1. 高频响应：该晶体管的过渡频率（fT）高达250 MHz，使其非常适合用于射频和中频放大电路。
　　2. 低噪声性能：S-LBSS138WT1G在高频下具有较低的噪声系数，能够有效提升信号接收的清晰度和稳定性，适用于无线通信、广播接收等对噪声敏感的应用。
　　3. 宽电流增益范围：其电流增益（hFE）范围较宽，根据不同等级可在110至800之间变化，满足不同电路设计的需求。
　　4. 小型封装：采用SOT-323（SC-70）封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。
　　5. 高可靠性：该器件在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
　　6. 低饱和压降：在正常工作电流下，S-LBSS138WT1G具有较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高效率。

S-LBSS138WT1G晶体管广泛应用于以下领域：
　　1. 射频放大器：用于无线通信设备、天线前置放大器和接收器中，提升信号强度。
　　2. 混频器和振荡器：在射频和微波系统中用于频率转换和本地振荡信号生成。
　　3. 中频放大器：在调频接收器、电视调谐器等设备中用于放大中频信号。
　　4. 通用高频放大电路：如音频前置放大、数据传输设备中的信号调理电路。
　　5. 汽车电子：如车载通信模块、遥控门锁系统等需要高频信号处理的场合。
　　6. 工业控制系统：用于传感器信号放大、无线遥测等应用。

BC847系列, 2N3904, BFQ54, MMBFJ201, S-LBSS137WT1G