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S-LBAT46T1G 发布时间 时间:2025/8/13 8:03:34 查看 阅读:6

S-LBAT46T1G 是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管,主要用于高效率的电源整流和快速开关应用。该器件具有低正向压降、高浪涌电流能力和快速恢复时间等优点,使其适用于多种电源管理场合,如DC-DC转换器、AC-DC适配器和电池充电系统等。S-LBAT46T1G采用小型的SOD-123封装,便于在高密度电路板上使用,并且符合RoHS环保标准。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流:1A
  最大反向电压:40V
  正向压降:0.37V(典型值)
  反向漏电流:100μA(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-123

特性

S-LBAT46T1G 是一款性能优异的肖特基二极管,其主要特性包括低正向压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力。该器件的正向压降在1A电流下仅为0.37V,大大降低了功率损耗,提高了系统效率。此外,其快速恢复时间小于2ns,使其适用于高频开关应用。S-LBAT46T1G还具备较强的抗浪涌能力,在短时间高电流冲击下仍能保持稳定运行。该器件的反向漏电流非常低,在25°C时最大仅为100μA,有助于减少静态功耗。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适应多种环境条件。SOD-123封装设计紧凑,便于自动化生产和高密度电路布局,同时满足RoHS标准,确保环保无污染。总的来说,S-LBAT46T1G 是一款适用于电源管理、电池充电和高效能电源转换的理想选择。

应用

S-LBAT46T1G 主要应用于电源管理系统,包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器以及负载开关等。其低正向压降和快速恢复时间使其非常适合用于提高开关电源的效率。此外,该器件还可用于极性保护电路、电源整流和高频逆变器中。由于其紧凑的SOD-123封装,S-LBAT46T1G也适用于对空间要求较高的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。在工业控制和汽车电子系统中,该器件也可用于电源转换和稳压电路,以确保系统的高效稳定运行。

替代型号

MBR0540T1G, 1N5819WS-13-F

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