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S-8351A35MC 发布时间 时间:2025/6/25 21:35:38 查看 阅读:9

S-8351A35MC 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能。其设计适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。
  这款器件属于 N 沟道增强型场效应晶体管,能够在高频条件下保持较低的损耗,同时具备良好的抗浪涌能力。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:50nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

S-8351A35MC 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻,能够有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 高可靠性设计,适用于严苛的工作环境。
  4. 优秀的热性能,确保在大电流负载下稳定运行。
  5. 提供强大的抗静电能力(ESD),保护器件免受损坏。
  6. 小型化封装,节省电路板空间,便于集成到紧凑型设计中。

应用

S-8351A35MC 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 太阳能逆变器的关键功率转换元件。
  4. 工业自动化设备中的负载控制。
  5. 各类 DC/DC 转换器模块。
  6. 汽车电子系统中的电源管理单元。

替代型号

S-8352B40MC, IRF840, FDP5500

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