时间：2025/6/26 11:04:58
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S-8254AANFT-TB-U 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
这款器件属于 N 沟道增强型场效应晶体管，其设计优化了栅极电荷和导通电阻之间的平衡，从而实现了较低的功耗和更高的系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：1050pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，确保在过载或短路情况下具有良好的鲁棒性。
4. 小型封装设计，节省 PCB 空间，适合高密度布局。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，适用于现代电子产品需求。
6. 支持宽温度范围，适应各种严苛的工作环境。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率开关。
5. 各类工业控制设备中的功率级组件。
6. 充电器和适配器中的高效功率转换元件。
S-8254AANFT-TB-A, S-8254AANFT-TB-B, IRFZ44N, FDP5500
