SI9934BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,适用于高频开关应用和功率转换电路。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等领域。
该型号中的具体后缀 '-T1-GE3' 表示 Vishay 的内部分类或封装测试标准,主要强调其经过严格筛选以满足特定性能要求。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:27A
导通电阻:1.8mΩ
总栅极电荷:16nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
SI9934BDY-T1-GE3 提供了非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它的传导损耗最小化,从而提高了整体效率。此外,其快速的开关性能减少了开关损耗,非常适合高频应用。该器件还具有较高的雪崩能量能力,增强了在异常情况下的可靠性。
此 MOSFET 还具备正温度系数,有助于并联使用时实现更好的均流效果。同时,TO-252 封装提供了良好的散热性能,支持高功率密度设计。
另外,其符合 RoHS 标准,适合环保要求严格的项目需求。
这款 MOSFET 常用于各种功率电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电池管理系统 (BMS)
3. 电机控制和驱动
4. 负载开关和保护电路
5. 工业自动化设备中的功率级控制
由于其高性能特点,SI9934BDY-T1-GE3 特别适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
SI9934DY, IRFZ44N, FDP5800