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SI9934BDY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/30 22:50:55 查看 阅读:7

SI9934BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,适用于高频开关应用和功率转换电路。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等领域。
  该型号中的具体后缀 '-T1-GE3' 表示 Vishay 的内部分类或封装测试标准,主要强调其经过严格筛选以满足特定性能要求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:1.8mΩ
  总栅极电荷:16nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SI9934BDY-T1-GE3 提供了非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它的传导损耗最小化,从而提高了整体效率。此外,其快速的开关性能减少了开关损耗,非常适合高频应用。该器件还具有较高的雪崩能量能力,增强了在异常情况下的可靠性。
  此 MOSFET 还具备正温度系数,有助于并联使用时实现更好的均流效果。同时,TO-252 封装提供了良好的散热性能,支持高功率密度设计。
  另外,其符合 RoHS 标准,适合环保要求严格的项目需求。

应用

这款 MOSFET 常用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电池管理系统 (BMS)
  3. 电机控制和驱动
  4. 负载开关和保护电路
  5. 工业自动化设备中的功率级控制
  由于其高性能特点,SI9934BDY-T1-GE3 特别适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

替代型号

SI9934DY, IRFZ44N, FDP5800

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SI9934BDY-T1-GE3产品

SI9934BDY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 6.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI9934BDY-T1-GE3TR