时间：2025/4/29 14:13:52
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S-817A12ANB-CUBT2G 是一款基于硅技术的高性能功率MOSFET，属于N沟道增强型器件。它主要用于高频开关应用和功率转换领域。该器件具有较低的导通电阻、快速的开关速度以及出色的热性能，适用于对效率和散热要求较高的场景。
这款MOSFET采用小型化封装设计，能够有效减少寄生电感和寄生电容，从而提升整体系统性能。其典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.3A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：13nC
输入电容：920pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中显著降低功耗。
2. 快速的开关速度，适合高频工作的场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小型化的DPAK封装，节省PCB空间并优化散热性能。
5. 支持宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关应用。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 汽车电子系统中的电机控制和电源管理。
4. 工业自动化设备中的功率转换和信号隔离。
5. 可携式电子设备的高效DC-DC转换模块。
6. 各类需要高频、低损耗功率开关的应用场景。
S-817A12ANB-CTBT2G
S-817A12ANB-DTB2G
FDP5806
IRF7404
