时间：2025/9/14 13:43:25
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BUK9M28-80EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率 MOSFET 晶体管，采用增强型 N 沟道结构设计。该器件专为高效率电源转换系统和高电流负载应用而设计，具备出色的导通性能和热稳定性。该 MOSFET 采用先进的 Trench MOS 技术，能够在高频率和高电流条件下稳定工作，适用于现代电源管理系统，如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备。BUK9M28-80EX 采用无铅、符合 RoHS 标准的封装，适合环保要求较高的应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：80 V
栅源电压（VGS）：±20 V
最大连续漏极电流（ID）：150 A（在 25°C 下）
导通电阻（RDS(on)）：2.8 mΩ（典型值，VGS = 10 V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerSO-10
安装方式：表面贴装
BUK9M28-80EX 具备多项卓越特性，使其在功率 MOSFET 领域中表现优异。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为 2.8 mΩ，这意味着在高电流工作状态下，器件的导通损耗极低，有助于提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 的最大连续漏极电流可达 150 A，在高功率密度应用中表现出色，例如用于电动工具、电动车电池管理系统以及高性能 DC-DC 转换器。其栅极驱动电压范围宽泛（±20 V），适用于多种驱动电路设计，并具备良好的抗过压能力。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺技术，不仅提升了导通性能，还增强了器件的热稳定性，使其在高温环境下仍能保持稳定运行。此外，BUK9M28-80EX 采用 PowerSO-10 封装，具有优异的散热性能，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。这款 MOSFET 还具备出色的短路耐受能力，可提高系统的可靠性和安全性。其无铅、RoHS 合规封装也符合当前电子行业对环保法规的要求，适用于各种工业、汽车及消费类电子产品应用。
BUK9M28-80EX 的高性能特性使其广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，该 MOSFET 常用于同步整流 DC-DC 转换器、多相电源模块和电池管理系统，尤其是在高电流、高效率要求的场合。在电机控制和功率开关电路中，BUK9M28-80EX 能够提供快速开关响应和低导通损耗，适用于电动工具、无人机、机器人等设备。此外，该器件也适用于工业自动化设备中的高功率负载控制，如 PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器。在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电系统、电池保护电路以及电动助力转向系统等应用。同时，由于其优异的热性能和封装设计，也适用于紧凑型电源模块和高密度电源转换系统。
IRF1405, BSC090N10NS5, IPB09CN10N3, BUK9Y15-100E, BUK9J15-100E
