时间：2025/4/30 17:37:35
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S-80924CLNB-G6UT2G 是一款高性能的功率晶体管，专为高频、高效率开关应用设计。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 系列，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。其封装形式为行业标准的 TO-263（D2PAK），能够提供卓越的散热性能和电气稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：1850pF
输出电容(Coss)：45pF
反向传输电容(Crss)：45pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
S-80924CLNB-G6UT2G 具有低导通电阻和低栅极电荷，这使其在高频开关应用中表现出色，可显著降低传导损耗和开关损耗。
其大电流承载能力与高耐压相结合，使得该器件适合于需要高效功率转换的应用。
此外，该芯片采用 TO-263 封装，提供了良好的热性能和机械可靠性，非常适合表面贴装工艺，简化了生产流程并提高了系统稳定性。
它还具备优异的雪崩能力和抗静电性能，确保在严苛环境下也能可靠运行。
该型号广泛应用于各种工业和消费电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的桥式开关或半桥配置。
3. 高效 DC-DC 转换器和逆变器的核心功率元件。
4. 可再生能源系统中的功率调节模块，例如太阳能微逆变器。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS) 以及电机控制器。
6. 各类负载开关和保护电路。
S-80924CLNA-G6UT2G, S-80924CLNC-G6UT2G, IRF840, FDP5500
