K3468-01 时间：2025/8/9 10:12:58 阅读：17

K3468-01 是一款由韩国制造商开发的高性能、低电压N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通损耗的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式技术，使其在低压应用中表现出色，特别是在电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关等场合。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A（在25℃时）
　　功耗(Pd)：2W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：SOT-23
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为 12mΩ（在Vgs=10V时）
　　输入电容(Ciss)：约1200pF

特性

K3468-01 MOSFET具有极低的导通电阻(Rds(on))，这使其在高电流应用中能够有效减少功率损耗，提高整体效率。
　　该器件的工作电压范围较宽，支持从低至2.5V到最高10V的栅极驱动电压，从而兼容多种控制器和驱动电路。
　　由于其采用SOT-23封装，K3468-01具有较小的外形尺寸，非常适合空间受限的应用场景，例如便携式电子设备和小型电源模块。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高温环境下稳定工作，并具备一定的抗短路能力。
　　K3468-01的快速开关特性也使其在高频DC-DC转换器中表现优异，降低了开关损耗并提高了系统的整体能效。

应用

K3468-01 主要应用于需要高效能和低功耗的电力电子设备中。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、电机驱动器以及各种类型的功率管理模块。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，K3468-01在移动设备和嵌入式系统中常用于电源管理单元，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
　　此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备中的电机控制、传感器供电控制以及小型逆变器电路等应用场景。