S-80818ANNP-EDF-T2是一款高性能的光电耦合器,主要应用于信号隔离和电平转换。它具有高绝缘耐压、高共模抑制比以及高传输速率等特点,广泛用于工业控制、通信设备以及医疗电子等领域。
该型号采用先进的光电转换技术,能够有效防止前后级电路之间的干扰,并提供稳定可靠的信号传输。
封装:SO6
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
输入电流:1.6mA(典型值)
输出电流:50mA(最大值)
集电极-发射极电压:70V(最大值)
发光二极管正向电压:1.2V(典型值)
传播延迟时间:3μs(最大值)
上升时间:0.2μs(典型值)
下降时间:0.2μs(典型值)
绝缘耐压:5000Vrms(最小值)
这款光电耦合器具备优异的电气性能和稳定性。其主要特点包括:
1. 高绝缘耐压,可达到5000Vrms以上,确保前后级电路的安全隔离。
2. 快速响应时间,传播延迟仅为3μs,适用于高速信号传输。
3. 低输入电流要求,典型值为1.6mA,降低功耗并提高效率。
4. 广泛的工作温度范围,从-40℃到+125℃,适应各种恶劣环境。
5. 紧凑的SO6封装设计,便于在有限空间内进行布局。
6. 具备较高的共模抑制比,能有效屏蔽电磁干扰,保证信号完整性。
这些特性使得S-80818ANNP-EDF-T2成为需要可靠隔离和快速响应的应用的理想选择。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 工业自动化控制系统中的信号隔离与传输。
2. 通信设备中的电源监控及数据接口隔离。
3. 医疗电子设备中患者接触部分与主电路间的隔离。
4. 汽车电子系统中的信号转换与保护。
5. 电力电子设备中的栅极驱动及反馈信号隔离。
S-80818ANNP-EDF-T2凭借其卓越的性能和可靠性,非常适合对安全性要求较高的场景。
HCPL-0531, PS2501-1