时间：2025/6/22 2:16:42
阅读：6
S-80720AN-DH-T1是一种高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该芯片广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等领域，能够有效提高系统的效率并减少能量损耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，适合高频开关应用。其优化的封装设计有助于散热性能的提升，并确保在苛刻的工作条件下依然保持稳定。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：20A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：28nC
开关时间（开启）：35ns
开关时间（关闭）：15ns
工作结温范围：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗。
2. 高速开关能力，支持高频工作环境。
3. 具备良好的热稳定性，适用于高功率密度的应用场景。
4. 耐雪崩能力出色，提高了器件在异常条件下的可靠性。
5. 小型化的封装设计，节省PCB空间。
6. 支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产流程。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池保护电路
5. 逆变器及不间断电源（UPS）
6. LED驱动器
7. 汽车电子系统中的负载开关
S-80720BN-DH-T1, IRFZ44N, FDP55N06L
