时间：2025/5/16 14:56:25
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S-1112B23MC-L6STFG 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET 芯片，采用 SuperSOT-23 封装形式。该器件主要应用于低电压、高效率的电源转换电路中，适合用于负载开关、DC-DC 转换器、LED 驱动以及电池管理等场景。其优化的导通电阻和极低的栅极电荷使得该芯片能够在高频条件下提供高效的性能表现。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而有效降低传导损耗和开关损耗。此外，该型号具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，能够适应多种复杂的工作环境。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻：120mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：3nC
开关频率范围：支持高达 2MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻设计，在 4.5V 的栅极驱动下仅为 120mΩ，显著减少导通损耗。
2. 小巧的 SuperSOT-23 封装使其非常适合空间 快速开关特性，具备仅 3nC 的栅极电荷，有助于提高系统效率并降低电磁干扰。
4. 支持高频操作，最高可达 2MHz，适用于现代高效能开关模式电源设计。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
6. 内置反向二极管，简化电路设计并提高整体可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接兼容。
S-1112B23MC-L6STFG 主要应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
2. DC-DC 转换器和降压稳压器。
3. LED 驱动电路，用于小型照明设备。
4. 工业控制中的信号隔离与开关。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 数据通信设备中的低功耗开关解决方案。
由于其小尺寸和高性能特点，该芯片特别适合对空间和效率有严格要求的设计。
SMBJ5.0A, BAV99
