时间：2025/5/8 18:15:10
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SI2302是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用DFN1010-8（UJN）封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率管理应用。其小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
总耗散功率：750mW
工作结温范围：-55℃至150℃
SI2302具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，它还具备快速开关能力，能够在高频应用中提供出色的性能。其小型DFN封装设计能够节省PCB空间，并且符合RoHS标准，适合环保要求较高的应用场景。
由于其低电荷特性和低栅极电荷，SI2302在高频开关电路中表现出色，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
SI2302广泛应用于便携式设备、消费电子、通信设备等领域。具体应用包括负载开关、DC/DC转换器、电池管理系统、电机驱动器以及背光驱动等场景。其高效能和紧凑封装特点使其成为需要高性能和小体积解决方案的理想选择。
SI2304DS, SI2306DS
