型号：RZR040P01
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDSS)：-40V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：-4.0A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(ON))：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(ON))：55mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=20V
　　输出电容(Coss)：185pF @ VDS=20V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=20V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：CST3(SOT-769B)

RZR040P01采用ROHM专有的Trench栅极结构技术，显著降低了导通电阻（RDS(ON)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。该器件在VGS = -10V时的典型RDS(ON)仅为45mΩ，在VGS = -4.5V时也仅达到55mΩ，表现出优异的低电压驱动能力，特别适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。这种低导通电阻特性使其在电池供电系统中能够有效延长续航时间。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性和长期可靠性，得益于其优化的芯片设计和高质量封装工艺。CST3封装不仅体积小巧（约2mm x 1.2mm），还具备良好的散热性能，能够在有限空间内实现高效的热量传导，防止因温升导致的性能下降或器件损坏。同时，该封装支持表面贴装工艺，便于自动化生产，提升制造良率和一致性。
　　RZR040P01具有较强的抗静电能力（ESD）和抗浪涌能力，能承受一定的瞬态过压冲击，提升了系统在实际使用中的鲁棒性。其栅极氧化层经过严格质量控制，确保在±20V栅源电压范围内安全运行，避免因误操作或电压波动造成永久性损伤。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度环境下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　由于采用了先进的制造工艺，RZR040P01在高频开关应用中表现出较低的开关损耗，有利于提高DC-DC转换器、同步整流器等电路的转换效率。其寄生电容（Ciss、Coss、Crss）经过优化设计，有助于减少开关过程中的能量损耗，并降低电磁干扰（EMI）。这使得它非常适合用于便携式设备中的负载开关、热插拔控制器以及电池管理系统中的充放电通路控制。

RZR040P01常用于各类需要高效P沟道功率开关的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与保护电路。在这些设备中，该MOSFET可用于控制主电源与备用电源之间的切换，或作为负载开关切断非工作模块的供电以降低待机功耗。
　　在DC-DC转换器中，RZR040P01可作为高端开关元件，配合控制器实现降压（Buck）拓扑结构中的同步整流功能，提高转换效率并减少发热。由于其低导通电阻和良好的热性能，特别适合用于高密度电源设计。此外，该器件也可用于电机驱动电路中，作为H桥或半桥结构中的上桥臂开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。
　　在工业控制领域，RZR040P01可用于PLC输入输出模块、传感器供电控制、继电器驱动电路中的电源通断控制。其宽温度范围和高可靠性使其能在严苛环境中长期稳定运行。另外，该器件还可应用于USB电源开关、充电管理IC外围电路、热插拔电源接口等需要快速响应和低损耗开关的场景。
　　由于其小型化封装和高集成度特点，RZR040P01也广泛用于空间受限的嵌入式系统和模块化电源设计中，例如物联网终端、无线通信模块和智能家电控制板。通过合理布局和外围元件匹配，可以构建出高效、可靠且成本可控的电源控制方案。

RZR040P02L2