IPD400N06NG是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET芯片,属于OptiMOS系列。该器件采用N沟道增强型结构设计,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效功率转换的场景。其耐压值为60V,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能,能够显著降低系统功耗并提升效率。
该器件采用了PQFN5x6封装形式,具有较小的体积和良好的散热性能,非常适合对空间有限制的应用环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:400A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷:38nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃至175℃
封装形式:PQFN5x6
IPD400N06NG具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提高整体效率。
2. 快速开关性能,适用于高频应用场合。
3. 高额定电流能力,能够在大电流条件下稳定运行。
4. 良好的热性能,确保在高功率密度应用中的可靠性和稳定性。
5. 小型化封装,适合紧凑型设计需求。
6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境下的使用要求。
这些特性使得IPD400N06NG成为工业和汽车领域中高性能功率转换的理想选择。
IPD400N06NG主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机控制和逆变器模块。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
5. 充电器、适配器以及其他便携式电子设备的功率管理部分。
6. LED驱动器中的功率调节单元。
由于其出色的电气特性和可靠性,这款器件电流承载能力的应用场景。
IPW400N06N_G, IPB400N06N_G