RZR020P01 时间：2025/12/25 11:12:31 阅读：13

RZR020P01是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和负载开关应用设计。该器件采用紧凑型封装，适用于空间受限的便携式电子设备和电池供电系统。RZR020P01以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性著称，能够在低电压条件下实现高效的电流控制，广泛应用于移动设备、工业控制、通信模块以及各类DC-DC转换电路中。该MOSFET针对热稳定性进行了优化，具备良好的散热性能，并通过了AEC-Q101等车规级可靠性认证，适合在严苛环境条件下稳定运行。其栅极驱动电压兼容主流逻辑电平，便于与微控制器和其他数字电路直接接口，降低了系统设计复杂度。

参数

型号：RZR020P01
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-8.5A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-24A
　　最大耗散功率（PD）：2.5W
　　导通电阻（RDS(ON)）：20mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.3V
　　栅极电荷（Qg）：11nC @ VGS = -10V
　　输入电容（Ciss）：600pF @ VDS = 10V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOP-6

特性

RZR020P01具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻，在VGS=-4.5V时仅20mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的电源开关或反向电流阻断电路，有效延长设备续航时间。器件的P沟道结构允许其在低侧或高侧开关配置中灵活使用，尤其在高侧开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现完全导通，简化了外围设计并节省成本。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg=11nC）和输入电容（Ciss=600pF），能够支持高频PWM控制，适用于DC-DC降压变换器、同步整流等需要高速切换的应用场景。此外，其阈值电压范围合理（-1.0V至-2.3V），确保在标准逻辑电平下可靠开启与关断，避免误触发问题。
　　RZR020P01还集成了多种保护机制，包括过温保护和雪崩能量耐受能力，提升了在瞬态负载变化或短路情况下的鲁棒性。其TSOP-6封装不仅体积小巧，有助于提高PCB布局密度，而且具备优良的热传导路径，可将内部热量高效传递至PCB，从而在无外加散热片的情况下仍能维持稳定工作。产品符合RoHS环保标准，并通过严格的车规级可靠性测试，表明其可在汽车电子等高要求环境中长期稳定运行。