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RZM001P02T2L 发布时间 时间:2025/7/1 23:26:41 查看 阅读:4

RZM001P02T2L 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他电力电子应用。该芯片采用了先进的封装工艺,能够提供更低的导通电阻和更高的开关速度,从而显著降低功率损耗并提高系统效率。
  由于其出色的性能表现,RZM001P02T2L 在消费电子、通信设备以及工业自动化等领域具有广泛的应用前景。

参数

额定电压:650V
  额定电流:2A
  导通电阻:180mΩ
  栅极电荷:30nC
  输入电容:1200pF
  最大工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-252

特性

RZM001P02T2L 具备以下主要特性:
  1. 高频操作能力:得益于 GaN 技术,该芯片能够在 MHz 级别频率下稳定运行,从而减小了无源元件尺寸。
  2. 极低的导通电阻:180mΩ 的导通电阻显著降低了传导损耗,提升了整体效率。
  3. 快速开关性能:较低的栅极电荷和输出电容使其具备快速开关的能力,减少开关损耗。
  4. 强大的热管理能力:采用 TO-252 封装,散热性能优越,适合高功率密度设计。
  5. 电气隔离设计:内置保护机制,增强器件在恶劣环境下的可靠性。
  6. 宽工作温度范围:支持 -55℃ 至 +150℃ 的宽温区操作,适应各种极端条件。

应用

RZM001P02T2L 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,用于笔记本电脑适配器、LED 驱动器等。
  2. 通信电源:如基站电源、服务器电源等,对效率和小型化有较高要求的场景。
  3. 工业控制:适用于变频器、电机驱动和其他工业自动化设备。
  4. 消费电子产品:例如无线充电器、快充头等,提升充电速度的同时保持高效能。
  5. 太阳能逆变器:利用其高频特性优化光伏系统的能量转换效率。

替代型号

RZM001P03T2L, RZM001P04T2L

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RZM001P02T2L参数

  • 现有数量264,189现货
  • 价格1 : ¥2.07000剪切带(CT)8,000 : ¥0.31720卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装VMT3
  • 封装/外壳SOT-723