时间：2025/6/30 11:44:04
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FN21N101J500PAG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其设计旨在提供高效率和低损耗的性能，同时具备良好的热特性和电气稳定性。
这款功率 MOSFET 的最大特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关应用中显著降低功耗，从而提升系统的整体效率。
型号：FN21N101J500PAG
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压VDS：100 V
最大栅源电压VGS：±20 V
最大连续漏极电流ID：21 A
导通电阻Rds(on)：5 mΩ（典型值，在VGS=10V时）
总功耗PD：175 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷Qg：45 nC（典型值）
开关时间：ton=8 ns，toff=35 ns（典型值）
FN21N101J500PAG 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗，特别适合高电流应用场景。
2. 快速开关能力，有助于降低开关损耗并提高系统效率。
3. 高雪崩击穿能量（EAS）能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 内置反向二极管，支持续流保护功能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且兼容现代生产工艺。
6. 提供卓越的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
这些特性使 FN21N101J500PAG 成为需要高效能和可靠性的电力电子设计的理想选择。
该功率 MOSFET 可用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器，如降压、升压或升降压转换器。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器及电池管理系统中的功率管理。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，FN21N101J500PAG 适用于多种高性能电力电子应用。
IRFZ44N, FDP5800, STP20NM50
