型号：RYE002N05
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：50V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：19A
　　脉冲漏极电流IDM：76A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：2.2mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：2.8mΩ
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：约3300pF
　　输出电容Coss：约1100pF
　　反向恢复时间trr：典型值40ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装/SMD

RYE002N05采用高性能沟槽栅工艺制造，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为2.2mΩ，在VGS=4.5V时也仅2.8mΩ，这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。低RDS(on)意味着在大电流应用中产生的热量更少，从而减少对额外散热措施的需求，有助于简化热管理设计并缩小产品体积。该器件的栅极电荷Qg较低，典型值约为35nC，这使其能够实现快速开关响应，适用于高频开关电源应用，如同步整流DC-DC变换器和开关稳压器。低栅极驱动需求也减轻了控制器的负担，提升了系统的动态响应能力。
　　RYE002N05具有优异的雪崩能量耐受能力和坚固的栅氧化层结构，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供可靠的保护，增强了系统的鲁棒性。其体二极管具备较短的反向恢复时间（trr典型值40ns），可有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），特别适用于桥式电路和电机驱动等存在频繁换向的应用场景。器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保在逻辑电平信号驱动下也能可靠开启，兼容3.3V或5V微控制器输出，便于直接驱动而无需额外电平转换电路。
　　该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有较大的漏极焊盘以提升散热性能，支持SMD贴片安装，适合自动化生产流程。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代电子产品对环保与安全性的要求。热阻RθJA约为50°C/W，表明其在PCB上能有效将热量传导出去，延长使用寿命。此外，RYE002N05经过严格的质量认证和老化测试，保证在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业控制、通信电源、消费类电子及汽车辅助系统等多种严苛环境下的应用。

RYE002N05广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压或升压转换器，其中作为主开关或整流开关使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率并降低温升。在电池供电设备如笔记本电脑、便携式医疗仪器和移动电源中，该器件常用于电源路径管理和负载开关控制，实现对不同功能模块的上电时序控制与功耗优化。在电机驱动电路中，特别是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，RYE002N05可用于上下桥臂的开关元件，凭借其快速响应和低损耗特性提升驱动性能。
　　此外，该MOSFET也适用于过流保护电路、热插拔控制器和电源多路复用器等场合，能够在系统发生短路或异常时迅速切断电流路径，保障后级电路安全。在LED照明驱动电源中，可作为恒流调节开关使用，配合PWM调光实现亮度精确控制。由于其良好的热稳定性和高电流承载能力，也被用于服务器电源、网络通信设备和工业PLC等对可靠性要求较高的领域。其表面贴装封装形式还使其适用于高密度PCB布局设计，满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。

RYE003N05
　　DMG2305UX
　　SI2305DS
　　FDS6680A